新一轮的内存制程工艺竞赛可谓愈演愈烈,美光(Micron)公司亦加入其中。继SanDisk发布19nm固态硬盘(SSD)后,美光在日前宣布将样产全球最小的128Gb MLC NAND闪存芯片,该芯片采用最新的16nm工艺,领先于现有的20nm工艺。据透露,作为全球四大NAND家族之一的美光还将于2014年量产SSD,与SanDisk在消费性电子及数据中心市场一争高下。
目前服务器的技术热点主要有:IRISC与CISC技术、处理器技术、多处理器技术(AMP技术、SMP技术、MPP技术、COMA技术、集群技术和NUMA技术)、SCSI接口技术、智能I/O技术、容错技术、磁盘阵列技术、热插拔技术、双机热备份。
随着新的SandyBridge-EP处理器发布,英特尔已经将PCI-E 3.0的普及提上了日程。那么在规格上,下一个将要升级的则要算是DDR3内存了。
由英特尔主办的全球IT界高水平的技术论坛活动——2012英特尔信息技术峰会(Intel Developer Forum, IDF),将于4月11至12日在北京国家会议中心举行。本届IDF以“未来在我‘芯’”为主题,前瞻IT产业的发展与计算体验的变革,共迎个性化计算时代的到来。
随着新的SandyBridge-EP处理器发布,英特尔已经将PCI-E 3.0的普及提上了日程。那么在规格上,下一个将要升级的则要算是DDR3内存了。
近日,全球第三大内存芯片厂商日本尔必达公司无预警地向东京地方法院提出破产保护申请。目前,该公司债务达到4480亿日元(约合55亿美元),也成为日本制造业历史上负债规模最大的破产案。
目前的DRAM市场分两类主流技术:一种是用于服务器和PC的DDR3,另一种是用于智能手机、平板电脑等移动设备的LPDDR2,这些技术具体的指标均由各大半导体公司及其客户组成的业界组织JEDEC所制定。
随着高端处理器的推出,处理器对内存系统的带宽要求越来越高,内存带宽成为系统越来越大的瓶颈。内存厂商只要提高内存的运行频率,就可以增加带宽,但是由于受到晶体管本身的特性和制造技术的制约,内存频率不可能无限制地提升
说起Rambus内存,早年曾经是Intel一直不遗余力推广的一种全新内存架构,这种内存的确性能优异,与Intel的部分处理器能够成为高性能黄金组合,但由于Rambus内存价格实在过于昂
微软Dynamic Memory动态内存增长增强了Hyper-V内存管理能力,减少用户能够对虚拟机内存进行动态增减。
我们从三星获得了搭配的内存模组:40nm工艺、48GB容量的1.35V R-ECC DDR3 1333内存。
我们从三星获得了搭配的内存模组:40nm工艺、48GB容量的1.35V R-ECC DDR3 1333内存。
通常来说,在主流品牌两路Xeon5500/5600服务器中三通道内存会配置3组插槽,也就是18条内存槽。
本文详细介绍HP ProLiant DL160 G5服务器内存的配置和安装方法。
晶芯1997年在美国加州矽谷成立,生产基地设于大陆。主要产品线已涵蓋內存、闪存、多媒体电子产品、固态硬盘等系列。2005年,晶芯开始拓展中国內地市场,初期主要以拓展OEM业务为主;2006年6月,推出自有品牌劲芯 (Goldenmars)的系列产品,并开始在內地零售市场上市。
创见于1990年在美国设立第一间海外分公司,建立自有品牌——Transcend。主要产品包含各式内存、数字记忆卡、USB行动碟、可携式硬盘产品、多媒体产品、绘图卡与其它外围产品。
威刚(A-DATA)——台湾第一大记忆体模组厂,产品线覆盖DRAM 及Flash 存贮器应用领域。内存应用包含台式机、笔记本、服务器和专供Apple 机等。本期我们将就威刚的服务器内存产品进行全方位的盘点。
CPU横评大家都见过,不过企业级的CPU横评可能就很少见了。我们IT168集合了前两年测试的多款企业级处理器,制作了本次横评。
韩国现代半导体(HYNIX)——2001年从现代集团独立出来,专业提供内存和闪存。在中国无锡建有生产线,译名为“海力士”(Hynix Semiconductor), 海力士半导体是世界第二大DRAM制造商。